硬盤与閃存告別針鋒相對，新技術助力共融發展
上网時間 : 2006年10月05日


　　隨著芯片容量的不斷增大，NAND閃存在針對硬盤驅動器(HDD)的包圍戰中，一直扮演著主力軍的角色，并試圖以速度更快、功率更低的固態方案替代HDD這种電子机械系統。然而在近日于美國加州舉行的首屆閃存峰會上，HDD和NAND閃存的制造商們卻在討論如何使二者和平共處。

 

　　在多次小組討論中，許多人都將二者描述為互補技術，并強調了針對具体應用來選擇最合适技術的重要性。

 

　　而為了提高微軟即將面世的Vista操作系統性能而最新出現的高速緩存技術ReadyBoost和ReadyDrive，則极大推動了兩种存儲類型的共存。新技術加快了系統的啟動時間、提高了應用程序的載入和執行速度，并且能夠充分發揮NAND高速緩存(被嵌入在下一代混合型驅動器中)的优勢，微軟公司負責Windows客戶性能的產品經理Matt Ayers說。

 

　　另一种選擇方案是英特爾開發的代號名為Robson的技術。据英特爾存儲架构部門主管Knut Grimsrud介紹，該方案使用了一個小型的PCI Express卡，其上包含閃存和控制邏輯來應對高速緩存應用和不同的使用模式，從而有助于操作系統性能隨時間進行优化。英特爾將PCI Express卡設計得可以与Crestline芯片組聯合使用，該產品計划在2007年上市。現在，英特爾正在与微軟協商以确定在Vista操作系統中使用Robson技術。

 

　　三星公司和希捷技術公司在此次峰會上展示了几款混合型驅動器，將128、256或512MB基于閃存的高速緩存与標准HDD組合在一起。這些閃存將用來存儲軟件的使用模式，以及一些Vista啟動代碼。

 

　　從閃存容量的發展來看，2006年市場上已經在銷售單片容量達到4-8Gb的產品，而且預計2007年存儲容量還將翻倍，其快速的發展步伐毫無疑問威脅到了小容量HDD制造商的利益，Micron公司戰略營銷和產品開發部高級主管Achim Hill指出。由于在制造過程中涉及到大量的机械和半導体元件，所以HDD的最低成本在40到50美元之間。而隨著閃存价格下降，閃存和HDD之間出現了容量交疊點，即利用相同的成本可以購買到相同容量的閃存和HDD。

 

　　目前的容量交迭點在3-4GB之間，英特爾NAND產品部門IA平台營銷主管Pete Hazen指出。NAND閃存的下一個目標是實現与6-12GB的1英寸HDD交迭，而這個目標有望于2007年晚期或2008年早期實現，Hazen預測道。不過，多級單元(MLC)NAND閃存用戶卻對閃存制造商之間缺乏一個標准接口表示擔憂。

 

　　盡管所有芯片都擁有一個相似的基本接口，但由于每個制造商都在產品中加入了各自具有增值意義的特性集，而且每一代MLC存儲器都趨向于擁有新的增強型接口，所以存儲器用戶很難為了獲得最优价格而更換制造商。

 

　　為了努力在標准化方面達成一致，英特爾、Micron和其它一些公司率先創建了一個開放NAND閃存接口(ONFI)，并希望以此向用戶提供一种設計中使用的通用接口，英特爾閃存部門的CEO Ed Doller介紹。ONFI可以提供一种標准接口，這在某种程度上類似于硬盤驅動器中所使用的IDE接口，新接口可用來同任一NAND閃存元件進行通訊。它能夠使任何存儲器芯片在最少配置情況下得以使用，Doller介紹。

 

邁向移動存儲領域

 

　　移動應用也在迅速向NAND閃存轉移。高端多功能手机和智能電話/PDA設備早已具備接受SD卡、MMC卡以及其它一些格式卡的插槽，這些閃存卡的容量通常可以達到數GB。而隨著手机演變成包含音頻、視頻和數据存儲的匯聚型平台，移動行業需要這類存儲器，Micron公司負責NAND開發的副總裁Frankie Roohparvar表示。

 

　　當前，蜂窩電話中使用了包括NOR、NAND、SRAM和DRAM在內的多种類型存儲器，但是再經過几年的努力，情況將有所改變。屆時，利用諸如Micron公司的Managed NAND Flash等技術，手机制造商可以將系統簡化到只包含NAND和DRAM。

 

　　在大容量的數据存儲應用中，HDD不會被替代，圓桌會議的參与者富士通計算机產品高級研究主管Mike Fitzpatrick和希捷技術公司戰略和規划總監Dave Anderson同時表示。只有硬盤才能提供成百上千GB的存儲容量，Anderson指出。

 

　　到2009年，通過使用三個轉速達到7200 rpm的盤片，3.5英寸HDD的容量將達到2TB，數据傳輸速率將達到2Gbps。而据Anderson預測，到2013年，HDD的容量將躍升為8TB，數据傳輸速率將提高到5Gbps，而主軸轉速更是會提高到10,000 rpm。